“新基建”风口下的机遇：GaN市场前景广阔

氮化镓（GaN）作为新型的宽禁带第三代化合物半导体，代表着功率和微波等领域的未来发展趋势，其具有高击穿电场、高饱和流子速度等优势，在应用层面上，可以提高频率、减少体积、降低功率等。

作为第三代半导体材料的代表之一，GaN本身在性能特性上是一种部分替代性及革命性的材料和器件，该业务最早发端于航空电子业务的需求，但目前已远不止于该领域的需求，如5G通讯、云计算、数据中心、新型电源等。

GaN市场渐渐兴起

早在1998年就有了关于GaN的资料记载，美国研制出GaN晶体管，在室温下带隙为3．49eV（电子伏特），这么久以来一直不愠不火，直到近两年才开始显露头角。

在2019年11月，OPPO率先推出GaN 充电器，但仅支持其自有的SuperVOOC快充协议，且接 口为USB－A，无法兼容电脑，局限性较大。在CES2020上，有近30家厂商展出了66款GaN产品，但由于技术、良率等问题，价格相对昂贵，因此也没有在业界引起较大的反响。

在今年小米的发布会上，小米推出的GaN氮化镓充电器，可提供65W快充，体积比小米笔记本的标配适配器缩小48％，仅需45分钟可充满小米10 Pro。该充电器还可为小米、苹果、戴尔、联想、华为、惠普等大部分USB－C接口的笔记本电脑充电，一经推出，在业界引起了不小的轰动，正式引爆这一市场。

据统计，功率器件整体市场可达154亿美元，68％的低压市场都是GaN的潜在市场，约为105亿美元，由于GaN材料具备了低发热、小体积的突出优势，在充电功率转换优势明显，因此GaN在电源设备上先行一步，在其它电子器件市场也有望加速渗透， 能够广泛应用于无线充电件、电源开关、逆变器、交流器等领域。

新基建风口下，GaN迎来发展契机

在今年提出的“新基建”概念下，人们对于5G的关注度也越来越高。

GaN作为5G应用的关键材料，相较于已经发展十多年的 SiC，GaN 功率器件是后进者，它拥有类似 SiC 性能优势的宽禁带材料，但拥有更大的成本控制潜力，在射频微波领域和电力电子领域都有广泛的应用。尤其是在面对5G时代的高频应用中，在射频器件的材料选用上，GaN最为合适。

国内GaN相关产业链及企业一览

GaN 代工：三安光电；

电源驱动芯片：圣邦股份、富满电子；

协议芯片：瑞芯微、全志科技；

平面变压器、共模电感：顺络电子 ；

Type C 连接器：立讯精密、长盈精密、电连技术；

充电器代工：领益智造；

射频芯片设计：卓胜微；

毫米波 T／R 芯片模组：和而泰；

功率半导体：斯达半导、扬杰科技、捷捷微电、士兰微、台基股份、华微电子、苏州固锝；

半导体设备：北方华创

小结

GaN起步相对较晚，2005年后氮化镓才应用在微波或功率器件，所以从这个角度来讲，氮化镓是我国与国际半导体差距最小的分支，我国在氮化镓的起步并不晚，尤其是在LED、雷达方面国家近年来大力扶持，因此这块比较具有领先地位，在微波和功率器件方面，近几年除了国家政策的支持外，有很多国内企业向此进军。